发明名称 |
高速BiCMOS双重取样保持电路 |
摘要 |
一种高速BiCMOS双重取样保持电路,系包含一输入缓冲器、两个前端切换开关、两个取样电容、两个中间缓冲器、两个回授缓冲器、两个后端切换开关及一输出缓冲器,而本发明系藉由上述元件组成一BiCMOS双重取样的保持电路,因此能够利用双重取样的方式来降低BiCMOS取样保持电路内之取样电路和输出缓冲器设计上的复杂度,并使有效取样率提升达到两倍;另外,于本发明之高速BiCMOS双重取样保持电路中还使用了线性化技术来提升BiCMOS双重取样保持电路内输入缓冲器的线性度,以使得整体的BiCMOS取样保持电路的动态响应能够提升。 |
申请公布号 |
TWI455488 |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
申请号 |
TW100134116 |
申请日期 |
2011.09.22 |
申请人 |
国立台北科技大学 台北市大安区忠孝东路3段1号 |
发明人 |
蔡舜宏;林宏益 |
分类号 |
H03M1/12 |
主分类号 |
H03M1/12 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡嘉慧 台北市大安区忠孝东路3段217巷6弄8号4楼 |
主权项 |
一种高速BiCMOS双重取样保持电路,系包括:一输入缓冲器,系具有一输入端及一输出端;两个前端切换开关,系皆具有一正向开关及一负向开关,其中该两个正向开关一端系耦接于该输入缓冲器之输出端,而该正向开关另一端系耦接于该负向开关一端;两个取样电容,该取样电容一端系耦接于该前端切换开关之正向开关与该前端切换开关之负向开关相接处,而该取样电容另一端系接地;两个中间缓冲器,系皆具有一输入端及一输出端,其中该中间缓冲器之输入端系耦接于该取样电容与该前端切换开关相接处;两个回授缓冲器,系皆具有一输入端及一输出端,其中该回授缓冲器之输入端系耦接于该中间缓冲器之输出端,而该回授缓冲器之输出端系耦接于该前端切换开关之负向开关另一端;两个后端切换开关,系皆包含有一正向开关及一负向开关,其中该正向开关一端及该负向开关一端系皆耦接于该中间缓冲器与该回授缓冲器相接处;以及一输出缓冲器,系具有一输入端及一输出端,其中该输入端系耦接于两个后端切换开关之正向开关另一端。 |
地址 |
台北市大安区忠孝东路3段1号 |