| 发明名称 | 一种用于HVPE生长GaN单晶的复合籽晶模板及方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于HVPE生长氮化镓单晶的复合掩膜籽晶模板及方法，包括复合掩膜的结构、复合掩膜窗口区的刻蚀工艺。其特征在于所述的复合掩膜由双层材料沉积而成，外层掩膜起到确保窗口形状和隔离GaN外延层的作用，内层掩膜起到保护GaN籽晶的作用；复合掩膜窗口区的刻蚀工艺使用干法工艺和湿法工艺相结合，并辅助GaN籽晶层表面处理，可确保刻蚀的精度并且获得洁净的外延用籽晶晶面。 | ||
| 申请公布号 | CN104078335A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201410307391.1 | 申请日期 | 2014.06.30 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 王斌;于广辉;赵智德;徐伟;隋妍萍;张燕辉 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 一种用于HVPE生长GaN单晶的复合掩膜籽晶模板，其特征在于所述的复合掩膜籽晶模板是在GaN/蓝宝石模板上生长的双层掩膜结构；其中，外层掩膜选用SiN<sub>x</sub>、TiN、W或WC材料；内层选用SiO<sub>2</sub>、Ti或ZnO材料。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||