电子照相感光体、处理盒和成像装置

摘要

本发明提供一种电子照相感光体，其包括：导电基体；设置在所述导电基体上的电荷发生层；设置在所述电荷发生层上的电荷输送层，该电荷输送层被构造为包含电荷输送材料和聚碳酸酯；以及设置在所述电荷输送层上的最外表面层，该最外表面层由含有链聚合性化合物的组合物形成的固化膜构成，该链聚合性化合物在同一分子中至少具有电荷输送骨架和链聚合性官能团，并且所述最外表面层具有由以下等式(1)表示的从0.1至0.3的A值，以及由以下等式(2)表示的0.02以下的B值，所述A和B值均由衰减全反射傅里叶变换红外光谱确定：·等式(1)A=(S1/S13)-(S0/S03)；·等式(2)B=S2/S23。

主权项

一种电子照相感光体，其包括：导电基体；设置在所述导电基体上的电荷发生层；设置在所述电荷发生层上的电荷输送层，该电荷输送层被构造为包含电荷输送材料和聚碳酸酯；以及设置在所述电荷输送层上的最外表面层，该最外表面层由含有链聚合性化合物的组合物形成的固化膜构成，所述链聚合性化合物在同一分子中至少具有电荷输送骨架和链聚合性官能团，并且所述最外表面层具有由以下等式(1)表示的从0.1至0.3的A值，以及由以下等式(2)表示的0.02以下的B值，所述A和B值均由衰减全反射傅里叶变换红外光谱确定：·等式(1)A=(S1/S13)‑(S0/S03)，·等式(2)B=S2/S23，其中在等式(1)和(2)中，S1表示基于所述最外表面层中的单取代苯的峰（在685cm^‑1至715cm^‑1范围内的峰）的峰面积；S13表示基于所述最外表面层的芳族化合物的C=C伸缩振动的峰（在1500cm^‑1至1525cm^‑1范围内的峰）的峰面积；S0表示基于经洗涤的所述最外表面层的单取代苯的峰（在685cm^‑1至715cm^‑1范围内的峰）的峰面积；S03表示基于经洗涤的所述最外表面层的芳族化合物的C=C伸缩振动的峰（在1500cm^‑1至1525cm^‑1范围内的峰）的峰面积；S2表示基于所述最外表面层的聚碳酸酯的C=O键的峰（在1750cm^‑1至1800cm^‑1范围内的峰）的峰面积；以及S23表示基于所述最外表面层的芳族化合物的C=C伸缩振动的峰（在1500cm^‑1至1525cm^‑1范围内的峰）的峰面积。