发明名称 压电体薄膜层叠基板
摘要 本发明提供一种压电体薄膜层叠基板,其使用非铅系压电体,可获得具有高的压电特性并且每个元件的压电特性的偏差小的压电体薄膜元件。本发明的压电体薄膜层叠基板的特征在于,是在基板上至少依次层叠有密合层、下部电极层和非铅系压电体薄膜层的压电体薄膜层叠基板,前述非铅系压电体薄膜层由铌酸锂钾钠(组成式(Na<sub>x</sub>K<sub>y</sub>Li<sub>z</sub>)NbO<sub>3</sub>,0<x<1、0<y<1、0≤z≤1、x+y+z=1)形成,前述基板的与前述密合层对置的面的表面粗糙度按最大高度Rz计为2nm以下,前述密合层由第4族元素的非晶质氧化物或者第5族元素的非晶质氧化物形成,其厚度为1nm以上2nm以下且为前述基板表面的最大高度Rz以上。
申请公布号 CN104078560A 申请公布日期 2014.10.01
申请号 CN201410048610.9 申请日期 2014.02.11
申请人 日立金属株式会社 发明人 末永和史;柴田宪治;渡边和俊;堀切文正;野口将希
分类号 H01L41/18(2006.01)I;H01L41/187(2006.01)I;H01L41/053(2006.01)I 主分类号 H01L41/18(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 钟晶;於毓桢
主权项 一种压电体薄膜层叠基板,其特征在于,是在基板上至少依次层叠有密合层、下部电极层和非铅系压电体薄膜层的压电体薄膜层叠基板,所述非铅系压电体薄膜层由铌酸锂钾钠(组成式(Na<sub>x</sub>K<sub>y</sub>Li<sub>z</sub>)NbO<sub>3</sub>,0<x<1、0<y<1、0≤z≤1、x+y+z=1)形成,所述基板的与所述密合层对置的面的表面粗糙度按最大高度Rz计为2nm以下,所述密合层由第4族元素的非晶质氧化物或者第5族元素的非晶质氧化物形成,其厚度为1nm以上2nm以下且为所述基板表面的最大高度Rz以上。
地址 日本东京都