发明名称 MEMS谐振器结构以及结合所述谐振器结构使用的方法
摘要 本发明提供一种微机电谐振器,所述微机电谐振器可以包括以体模式振动并且包括分别具有密度的第一多个区域以及分别具有密度的第二多个区域的一个或者多个谐振器块,所述第二多个区域中的每一个区域的所述密度与所述第一多个区域中的每一个区域的所述密度不同。可以将所述第二多个区域设置成非均匀结构。所述振动可以包括第一状态,在所述第一状态下,所述谐振器块至少部分沿第一和/或第二方向收缩,并且至少部分沿第三和/或第四方向膨胀,所述第二方向与所述第一方向相反,所述第四方向与所述第三方向相反。
申请公布号 CN101946400B 申请公布日期 2014.10.01
申请号 CN200880127024.6 申请日期 2008.11.26
申请人 罗伯特·博世有限公司 发明人 M·卢茨;潘志宇;A·帕特里奇
分类号 H03H3/007(2006.01)I;H03H9/02(2006.01)I;B81B3/00(2006.01)I 主分类号 H03H3/007(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 陈松涛;夏青
主权项 一种微机电谐振器,包括:谐振器块,所述谐振器块具有非均质结构,使得所述谐振器块的刚度在所述谐振器块的不同位置之间变化,且以体模式振动,所述振动包括所述谐振器块至少部分沿第一方向和第二方向中的至少一个方向收缩的第一状态,并且其中在所述第一状态下,所述谐振器块至少部分沿第三方向和第四方向中的至少一个方向膨胀,所述第二方向与所述第一方向相反,所述第四方向与所述第三方向相反,所述第一方向和所述第二方向与所述第三方向和所述第四方向垂直,其中,所述谐振器块包括:第一多个区域,所述第一多个区域分别具有密度;以及第二多个区域,所述第二多个区域分别具有密度,其中所述第二多个区域中的每一个区域的所述密度与所述第一多个区域中的每一个区域的所述密度不同;并且其中,所述第二多个区域被设置成非均匀结构。
地址 德国斯图加特