| 摘要 |
本发明提供能够进行字元线之单侧引出之非挥发性半导体记忆装置。本发明之非挥发性半导体记忆装置包括:记忆体串MS,其包含:第1字元线群WLS及第2字元线群WLD,该等分别积层于半导体层BG上,且上述第1字元线群WLS与上述积层方向垂直地延伸,上述第2字元线群WLD与该第1字元线群于同一层邻接;及选择电晶体ST1、ST2,与上述第1字元线群及上述第2字元线群以及位元线BL或源极线SL连接且形成于上述第1字元线群及上述第2字元线群之上层;上述第1字元线群及上述第2字元线群系分别沿同一方向延伸且朝向上述同一方向,上述第1字元线群之前端位于较上述第2字元线群之前端更为前方。 |
