发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF |
摘要 |
一种半导体装置包括一铜互连线设置于在一绝缘薄膜中之一沟渠内、一金属薄膜设置于沿着介于在该绝缘薄膜与该铜互连线之间之一边界该绝缘薄膜上、一障壁金属设置在该沟渠之内壁与该铜互连线之间且其在该金属层之上延伸、一第一金属帽盖用以覆盖位于该金属薄膜之上之障壁金属与铜互连线、及一第二金属帽盖用以连续地覆盖该第一金属帽盖、该障壁金属与该金属薄膜。 |
申请公布号 |
TW201438107 |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
申请号 |
TW102140887 |
申请日期 |
2013.11.11 |
申请人 |
富士通股份有限公司 |
发明人 |
神吉刚司 |
分类号 |
H01L21/321(2006.01);H01L23/528(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/321(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>恽轶群</name><name>陈文郎</name> |
主权项 |
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地址 |
日本 |