鋶盐、光阻材料及图案形成方法;SULFONIUM SALT, RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS

摘要

本发明提供在将氟化氩准分子雷射光、EUV等高能射线作为光源之光微影中之能提供解像性、特别是图案形状之矩形性优异、且粗糙度小之良好图案，且在浸润微影时不易溶出于水之光阻材料中使用之鋶盐、及含有该鋶盐之光阻材料、及使用此光阻材料之图案形成方法。下列通式(1a)表示之鋶盐;(式中，R表示至少1个以上之氢原子取代为氟原子之碳数1~30之直链状、分支状或环状之一价烃基;R 0 表示氢原子、或也可经杂原子取代、也可插入有杂原子之碳数1~30之直链状、分支状或环状之一价烃基)。