发明名称 刻划方法及刻划装置
摘要 本发明系在对SiC晶圆进行刻划时根据制造时之偏角而防止水平裂痕之产生。其解决手段为:在对具有偏角之SiC基板、以与定向面垂直地进行刻划时,在相对于SiC基板之结晶轴垂直之方向进行刻划时,使用相对于刀前端棱线左右之刀前端角度不同、且从结晶轴观察使处于较高位置之刀前端角度较大、另一方较小之刻划轮21进行刻划。藉此能够使水平裂痕之产生变少。
申请公布号 TW201437162 申请公布日期 2014.10.01
申请号 TW102143954 申请日期 2013.12.02
申请人 三星钻石工业股份有限公司 发明人 村上健二;武田真和;木下知子
分类号 C03B33/037(2006.01) 主分类号 C03B33/037(2006.01)
代理机构 代理人 <name>阎启泰</name><name>林景郁</name>
主权项
地址 日本