首页
产品
黄页
商标
征信
会员服务
注册
登录
全部
|
企业名
|
法人/股东/高管
|
品牌/产品
|
地址
|
经营范围
发明名称
刻划方法及刻划装置
摘要
本发明系在对SiC晶圆进行刻划时根据制造时之偏角而防止水平裂痕之产生。其解决手段为:在对具有偏角之SiC基板、以与定向面垂直地进行刻划时,在相对于SiC基板之结晶轴垂直之方向进行刻划时,使用相对于刀前端棱线左右之刀前端角度不同、且从结晶轴观察使处于较高位置之刀前端角度较大、另一方较小之刻划轮21进行刻划。藉此能够使水平裂痕之产生变少。
申请公布号
TW201437162
申请公布日期
2014.10.01
申请号
TW102143954
申请日期
2013.12.02
申请人
三星钻石工业股份有限公司
发明人
村上健二;武田真和;木下知子
分类号
C03B33/037(2006.01)
主分类号
C03B33/037(2006.01)
代理机构
代理人
<name>阎启泰</name><name>林景郁</name>
主权项
地址
日本
您可能感兴趣的专利
锚固船,特别是油和/或气开采船的方法和装置
有机电致发光装置
可变焦距透镜
动态存贮器空间的分配
通过发酵生产L-谷氨酸的方法
具有防滑动部件的服装制造方法、制造装置及服装
利用微生物处理毛或羽毛的方法
具有液体检测装置的液体容器
离合盘
显影装置和成像装置
由钢筋混凝土构造形成的1层楼2层居住型公寓大楼的构造形式
有折射率外环的色散位移单模光纤
复合型操作开关
通信网的记帐方法
肝功测试
用于图形子系统的模块描绘方法
低压汞蒸气放电灯及其制造方法
光记录介质
电动打夯机
以生活垃圾为原料制造建筑用型材砌块的方法