非挥发性半导体记忆装置

摘要

本发明系提供一种实现低消耗电力及高速存取之非挥发性半导体记忆装置。该非挥发性半导体记忆装置包括：记忆体核心，其系包含复数之记忆体组，且被逻辑分割为复数之页面，该复数之记忆体组包含矩阵状配置之复数之记忆胞、及对记忆胞供给资料写入所需之偏压电压之资料写入机构，该复数之页面包含属于特定数量之记忆体组之特定数量之记忆胞；及控制机构，其系控制资料写入机构，并针对每个包含特定数量之记忆胞之写入单位，进行对页面写入资料之页面写入。控制机构系藉由重复包含程式动作及检验动作之步骤而执行页面写入，且仅针对检验动作中无法确认为正常之资料写入之写入单位，于下一步骤以后执行程式动作及检验动作。

主权项

一种非挥发性半导体记忆装置，其特征在于包括：记忆体核心，其系包含复数之记忆体组(bank)，且被逻辑分割为复数之页面，该复数之记忆体组包含：复数之第1配线、与上述复数之第1配线交叉之复数之第2配线、配置于上述复数之第1配线与上述复数之第2配线的各交叉部之复数之记忆胞、及经由上述第1配线与第2配线对上述记忆胞供给资料写入所需之偏压电压之资料写入电路，该复数之页面包含属于第1特定数量之上述记忆体组之第2特定数量之上述记忆胞；控制电路，其系控制上述资料写入电路，并针对每个包含第3特定数量之上述记忆胞之写入单位，进行页面写入，该页面写入系对上述页面进行写入资料；写入资料检查电路，其系检查写入资料，判断对上述记忆体组之资料写入是否不需要；且上述控制电路系藉由重复包含程式动作及检验动作之步骤而执行上述页面写入，且仅针对上述检验动作中无法确认为正常之资料写入之上述写入单位，于下一步骤以后执行上述程式动作及检验动作，对特定之上述写入单位中无需资料写入之上述记忆体组，执行属于同一记忆体组之其他之上述写入单位之资料写入。