准晶片尺寸封装积体制程

摘要

本发明系关于覆晶球格阵列元件及其制造方法。在一个实例中，半导体晶粒封装之一准晶片尺寸方法系可包括以一覆晶结构配置而将该晶粒黏着至一基板；将该晶粒以一第一聚合物层涂布；选择性地将该第一聚合物层移除以提供至少一个开口来将一部份之晶粒曝光，以及将一第一金属层沉积于该第一聚合物层上，该第一金属层系至少部份地填满该至少一个开口以提供一电气接触至该晶粒；以及系包括一实质上环绕于该第一金属层之一上部表面的一平面中之晶粒的部份，以提供一环绕于该晶粒之电磁遮蔽。

主权项

一种封装一半导体晶粒之方法，该方法系包括：将该晶粒以一覆晶结构配置而黏着至一基板；将该晶粒以第一聚合物层涂布，该第一聚合物层包含SU8；选择性地将该第一聚合物层移除，以提供至少一个开口来将一部份之晶粒曝光；以及将一第一金属层沉积于该第一聚合物层上，该第一金属层系至少部份地填满该至少一个开口，以提供一电气接触至该晶粒，并且系包含一部份，该部份系大致上环绕于该第一金属层之一上部表面的一平面中之晶粒，以提供一环绕于该晶粒之电磁遮蔽。