半导体装置

摘要

实施方式的半导体装置包括第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第二导电型的第四半导体区域、第二电极以及第一中间金属膜。第一半导体区域设在第一电极之上，具有第一杂质浓度。第二半导体区域设在第一半导体区域之上，具有比第一杂质浓度高的第二杂质浓度。第三半导体区域及第四半导体区域设在第二半导体区域之上。第三半导体区域具有第三杂质浓度。第四半导体区域具有比第三杂质浓度低的第四杂质浓度。第二电极设在第三半导体区域及第四半导体区域之上，与第三半导体区域欧姆接触。第一中间金属膜设在第二电极与第四半导体区域之间，与第四半导体区域进行肖特基接合。

主权项

一种半导体装置，具备：第一电极；第一导电型的第一半导体区域，设在上述第一电极之上，具有第一杂质浓度；第一导电型的第二半导体区域，设在上述第一半导体区域之上，具有比上述第一杂质浓度高的第二杂质浓度；第二导电型的第三半导体区域，设在上述第二半导体区域之上，具有第三杂质浓度；第二导电型的第四半导体区域，设在上述第二半导体区域之上，具有比上述第三杂质浓度低的第四杂质浓度；第二电极，设在上述第三半导体区域及上述第四半导体区域之上，与上述第三半导体区域欧姆接触；以及第一中间金属膜，设在上述第二电极与上述第四半导体区域之间，与上述第四半导体区域进行肖特基接合。