发明名称 含双荧蒽有机半导体材料、其制备方法及应用
摘要 本发明属于有机半导体材料领域,其公开了一种含双荧蒽有机半导体材料、其制备方法及应用;该含双荧蒽有机半导体材料具有下述结构通式:<img file="DDA0000099502340000011.tif" wi="913" he="608" />式中,D为<img file="DDA0000099502340000012.tif" wi="293" he="138" />其中,R为C<sub>1</sub>-C<sub>6</sub>的直链烷基或支链烷基。本发明的双荧蒽有机半导体材料,由于结构中引入了烷基链,提高了材料的溶解性,从而提高了合成产率,提高了材料的成膜性;同时,双荧蒽有机半导体材料的结构中存在荧蒽基团和噻吩基,使该材料具有较好的空穴迁移率和热稳定性,有利于空穴传输;另,该材料可以发出纯蓝光,因此,该类材料可以作为空穴传输性主体材料或蓝光发光材料。
申请公布号 CN103044386B 申请公布日期 2014.10.01
申请号 CN201110315013.4 申请日期 2011.10.17
申请人 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 发明人 周明杰;王平
分类号 C07D333/20(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I 主分类号 C07D333/20(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 何平
主权项 一种含双荧蒽有机半导体材料,其特征在于,具有下述结构通式:<img file="FDA0000473819180000011.GIF" wi="812" he="546" />式中,D为<img file="FDA0000473819180000012.GIF" wi="277" he="141" />其中,R为C<sub>1</sub>‑C<sub>6</sub>的直链烷基或支链烷基。
地址 518100 广东省深圳市南山区南海大道海王大厦A座22层