| 发明名称 | LED芯片 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种LED芯片，LED芯片厚度为77～83μm，LED芯片背面设置有白膜层。本实用新型提供的LED芯片通过在研磨后的LED芯片表面增设白膜层，利用白膜的粘性固定住芯片原有的形貌，使得LED芯片的破片率降低至1.55％。 | ||
| 申请公布号 | CN203859151U | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201420163608.1 | 申请日期 | 2014.04.04 |
| 申请人 | 湘能华磊光电股份有限公司 | 发明人 | 马青会 |
| 分类号 | H01L33/52(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/52(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明 |
| 主权项 | 一种LED芯片，所述LED芯片经研磨后厚度为77～83μm，其特征在于，所述LED芯片背面设置有白膜层；所述白膜层厚度为70～80μm。 | ||
| 地址 | 423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘有色金属产业园区 | ||