发明名称 具有顶发射OLED结构的器件
摘要 本实用新型公开了一种具有顶发射OLED结构的器件,在硅片基板上依次主要制备阳极、有机功能层和阴极,形成TEOLED结构,在硅片基板上形成具有圆弧状或塔状的基片绒面,使硅片基板表面形成非平坦化结构,接着在基片绒面上面制作TEOLED,基片绒面的表面粗糙度RMS小于1μm。本发明改变传统的平坦化衬底结构,采用更加有利于光线传输的界面的图形化技术,在硅片基板表面制绒形成凹凸起伏的形貌,可以提高其光取出效率,提高OLED的外量子效率,还能增大视角,减小微腔效应。另外,本实用新型的硅片基板不同于传统的玻璃基板,可以与现已成熟的集成电路技术相结合,显示出极大地优势。
申请公布号 CN203859154U 申请公布日期 2014.10.01
申请号 CN201320674974.9 申请日期 2013.10.30
申请人 上海大学 发明人 孙亮亮;吴晓亮;孙文兵;汤梅;容佳玲;朱文清
分类号 H01L51/52(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I 主分类号 H01L51/52(2006.01)I
代理机构 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人 何文欣
主权项 一种具有顶发射OLED结构的器件,在硅片基板(1)上依次主要制备阳极(3)、有机功能层(4)和阴极(5),形成TEOLED结构,其特征在于:在所述硅片基板(1)上形成具有圆弧状或塔状的基片绒面(2),使硅片基板表面形成非平坦化结构,接着在所述基片绒面(2)上面制作TEOLED的各功能层,所述基片绒面(2)的表面粗糙度RMS小于1μm。
地址 200444 上海市宝山区上大路99号
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