发明名称 |
一种薄膜太阳能电池之P-I-N微晶矽结构及其制法 |
摘要 |
一种薄膜太阳能电池之P-I-N微晶矽结构及其制法,首先系以氟化物对氢化物之气体比例为第一比例之混合气体于P型层上形成第一I型层,接着以氟化物对氢化物之气体比例为第二比例之混合气体于第一I型层上形成第二I型层,再于第二I型层上形成N型层,从而完成P-I-N微晶矽结构。藉此多段式之方式依序于P型层上形成堆叠之复数个I型层,可避免知太阳能电池制程中I型层及P型层之介面损伤。 |
申请公布号 |
TWI455343 |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
申请号 |
TW101114082 |
申请日期 |
2012.04.20 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |
发明人 |
陈玉鸿;刘俊岑;陈俊亨 |
分类号 |
H01L31/18;H01L31/042 |
主分类号 |
H01L31/18 |
代理机构 |
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代理人 |
陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
主权项 |
一种薄膜太阳能电池之P-I-N微晶矽结构之制法,系包括以下步骤:(1) 形成P型层;(2) 以氟化物对氢化物之气体比例不同之复数由氟化物与氢化物组成之混合气体,依序于该P型层上形成由复数个堆叠子层构成之I型层;以及(3) 于该由复数个堆叠子层构成之I型层上形成N型层。 |
地址 |
新竹县竹东镇中兴路4段195号 |