具有选择性射极结构之太阳能电池及其制造方法

摘要

一种具有选择性射极结构之太阳能电池及其制造方法，系由单晶或多晶且具有电性掺杂之矽基板制造而成。首先在矽基板之受光侧表面形成复数条沟槽，经过一次电性掺杂元素之掺杂后，再进行选择性之蚀刻，使非沟槽区域形成具有较低掺杂之浓度，而沟槽区域系维持原有之较高掺杂浓度，以致形成选择性射极之结构。

主权项

一种具有选择性射极结构之太阳能电池，系由单晶或多晶且具有电性掺杂之矽基板制造而成，其特征在于：该矽基板受光侧具有复数条沟槽，且各沟槽之深度系在0.5微米(μm)至100μm之间，并且该矽基板受光侧表面含有第一表面区域与第二表面区域，其皆含有异于该矽基板电性掺杂之外之电性掺杂，其中该第一表面区域包括该复数条沟槽区之表面，且含有第一掺杂层，而该第二表面区域包括该矽基板受光侧之非沟槽区之表面，且含有第二掺杂层；上述该矽基板受光侧表面之第一掺杂层与第二掺杂层，系于形成有复数条沟槽之矽基板受光侧表面经过一次高浓度之电性掺杂扩散后，经由涂布一阻挡层(Barrier)于该些沟槽区，并以化学湿式蚀刻蚀去非沟槽区表面之一部分厚度，使该区域形成具有较低掺杂浓度之第二掺杂层，而沟槽区表面则维持原始高浓度之电性掺杂而形成该第一掺杂层。