隔离区的形成方法及其结构

摘要

一种隔离区的形成方法，包含以下步骤：提供一半导体基底，该半导体基底中具有第一型离子掺杂，其中该半导体基底中形成有多个沟槽，该些沟槽系位于多个晶胞区及相邻的晶胞区之间的隔离区，每一该沟槽之侧壁上具有一氧化层，且该些沟槽内填有金属结构；移除位于该隔离区之该沟槽内的金属结构；将第二型离子植入该半导体基底中，且对应位于该隔离区之该沟槽；填入绝缘结构于该些沟槽内，其中位于该隔离区之该沟槽系全部地被该绝缘结构所填满，以形成不具金属之隔离区。

主权项

一种隔离区的形成方法，包含以下步骤：提供一半导体基底，该半导体基底中具有第一型离子掺杂，其中该半导体基底中形成有多个沟槽，该些沟槽系位于多个晶胞区及相邻的晶胞区之间的隔离区，每一该沟槽之侧壁上具有一氧化层，且该些沟槽内填有金属结构；移除位于该隔离区之该沟槽内的金属结构；将第二型离子植入该半导体基底中，且对应位于该隔离区之该沟槽；填入绝缘结构于该些沟槽内，其中位于该隔离区之该沟槽系全部地被该绝缘结构所填满，以形成不具金属之隔离区。