发明名称 太阳能电池的制造方法
摘要 一种太阳能电池之制造方法,其步骤包含对基板之第一表面进行离子布植以形成第一掺杂层,接着对基板之第二表面进行离子布植以形成第二掺杂层,然后对基板、第一掺杂层与第二掺杂层所形成之结构执行退火程序,并藉由退火程序形成第一钝化层于该第一掺杂层上与形成第二钝化层于该第二掺杂层上,于经退火程序后所形成之第一钝化层上形成第三钝化层,再于经退火程序后所形成之第二钝化层上形成第四钝化层,然后分别于第三钝化层与第四钝化层上形成导电电极。
申请公布号 TWI455340 申请公布日期 2014.10.01
申请号 TW100106444 申请日期 2011.02.25
申请人 昱晶能源科技股份有限公司 苗栗县竹南镇新竹科学园区科北一路21号 发明人 邱彦凯;郭明锦;蔡锦堂;陈添赐;黄桂武
分类号 H01L31/18;H01L31/042 主分类号 H01L31/18
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种太阳能电池之制造方法,包含:对一基板之一第一表面进行离子布植,以形成一第一掺杂层;对该基板之一第二表面进行离子布植,以形成一第二掺杂层;对该基板、该第一掺杂层与该第二掺杂层所形成之结构执行一退火程序,并藉由该退火程序形成一第一钝化层于该第一掺杂层上与形成一第二钝化层于该第二掺杂层上;形成一第三钝化层于经该退火程序后所形成之该第一钝化层上;形成一第四钝化层于经该退火程序后所形成之该第二钝化层上;以及分别形成导电电极于该第三钝化层与该第四钝化层上。
地址 苗栗县竹南镇新竹科学园区科北一路21号