| 发明名称 |
高压多闸极元件及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明提出一种高压多闸极元件及其制造方法。该高压多闸极元件包含：具有第一导电型杂质掺杂之半导体鳍板；覆盖部分半导体鳍板侧壁之介电层；覆盖该介电层之闸极；形成于该半导体鳍板中或与该半导体鳍板耦接之汲极，其具有第二导电型杂质掺杂；形成于该半导体鳍板中或与该半导体鳍板耦接之源极，其具有第二导电型杂质掺杂，且源极与汲极位于闸极之不同侧；以及具有第二导电型杂质掺杂之漂移区或井区，形成于半导体鳍板中，分隔并耦接于该汲极与闸极之间。 |
| 申请公布号 |
TWI455316 |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
| 申请号 |
TW100103418 |
申请日期 |
2011.01.28 |
| 申请人 |
立錡科技股份有限公司 新竹县竹北市台元街20号5楼 |
发明人 |
黄宗义;邱建维 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
任秀妍 新竹市光复路2段481号9楼 |
| 主权项 |
一种高压多闸极元件，包含：一半导体鳍板，其具有第一导电型杂质掺杂；一介电层，覆盖部分该半导体鳍板侧壁；一闸极，覆盖该介电层；一汲极，形成于该半导体鳍板中或与该半导体鳍板耦接，其具有第二导电型杂质掺杂；一源极，形成于该半导体鳍板中或与该半导体鳍板耦接，其具有第二导电型杂质掺杂，且该源极与汲极位于该闸极之不同侧；一本体区，具有第一导电型杂质掺杂，分隔该源极与该闸极，并包覆该源极；以及一具有第二导电型杂质掺杂之漂移区或井区，形成于该半导体鳍板中，分隔并耦接于该汲极与闸极之间。 |
| 地址 |
新竹县竹北市台元街20号5楼 |
