用于处理记忆体装置中临界电压改变之方法、装置及系统

摘要

本发明包括用于处理记忆体装置中临界电压改变之方法、装置及系统。若干个实施例包括一记忆体单元阵列及具有耦合至该阵列之感测电路的控制电路。该控制电路经组态以在不使用一参考单元的情形下，确定与该等记忆体单元相关联之临界电压(Vt)的改变，且基于该等所确定的改变及在不使用一参考单元的情形下，调整该感测电路。

主权项

一种记忆体装置，其包含：一记忆体单元阵列；及控制电路，其具有耦合至该阵列之感测电路，及一错误校正码(ECC)解码器，其中该控制电路经组态以：在不使用一参考单元的情形下，确定与该等记忆体单元相关联之临界电压(Vt)的改变；及基于该等所确定的改变，且在不使用一参考单元的情形下，调整该感测电路；及其中：该感测电路经组态以使用一第一电压来感测该等记忆体单元之一状态；该ECC解码器经组态以在该所感测之状态上执行一错误校正操作；且该感测电路经组态以在该错误校正操作造成一失败之情形下使用一第二电压来感测该等记忆体单元之一状态。