| 主权项 |
一种半导体装置的制造方法，包括：形成第一导电层，其中透明导电层及金属层被堆叠在绝缘基板上；藉由使用第一多级灰度掩模，形成第一抗蚀剂；藉由使用该第一抗蚀剂蚀刻该透明导电层及该金属层，以形成闸极电极及成为像素电极的像素区域；以在该闸极电极上残留该第一抗蚀剂的一部分的方式，使该第一抗蚀剂灰化；藉由使用残留的该第一抗蚀剂蚀刻该像素区域上的该金属层，形成使用该透明导电层而形成的该像素电极；在该绝缘基板上形成闸极绝缘膜；在该闸极绝缘膜上形成半导体层；在该半导体层上形成含有赋予一导电性的杂质元素的半导体层；藉由使用第二多级灰度掩模形成第二抗蚀剂；蚀刻该像素电极上的该闸极绝缘膜、该半导体层、以及该含有该杂质元素的半导体层来形成接触孔；以在该闸极电极上残留该第二抗蚀剂的一部分的方式，使该第二抗蚀剂灰化；藉由使用残留的该第二抗蚀剂蚀刻该半导体层及该含有该杂质元素的半导体层，来形成与该闸极电极重叠的岛状的该半导体层及该含有该杂质元素的半导体层；在该绝缘基板上形成第二导电层；藉由使用第三掩模形成第三抗蚀剂；藉由湿蚀刻使用该第三抗蚀剂蚀刻该第二导电层形成源极电极及汲极电极，并且藉由乾蚀刻还蚀刻该岛状的含有该杂质元素的半导体层来形成源区域及汲区域，其中，该源极电极及该汲极电极的端部比该源区域及该汲区域的端部后退；在该绝缘基板上形成保护膜；藉由使用第四掩模形成第四抗蚀剂；以及藉由使用该第四抗蚀剂蚀刻该像素电极上的该闸极绝缘膜及该保护膜。 |
