ＨＤＰ－ＣＶＤ应用之高轮廓极小接触的处理套组

摘要

根据本发明一实施例，揭示一种用于化学气相沈积制程的制程套组盖。制程套组盖可包含从制程套组盖之顶表面突出的一突出物。该突出物邻接一面向晶圆表面。在重复的沈积制程期间，该突出物减少氧化物在制程套组盖及面向晶圆表面上累积增长。根据本发明另一实施例，制程套组盖亦可能与一下部支撑结构(例如，一陶瓷轴环或底座)在界面处有最小热接触。可藉由将一绝热器放置在制程套组盖及下部支撑结构之间或在制程套组盖及下部支撑结构之间产生一间隙或多个间隙来达成最小热接触。周围大气可在单个或多个间隙内提供绝热作用。

主权项

一种晶圆支撑结构，其包含：一圆环，其实质界定出一圆形空腔，且大体上与该圆形空腔同中心，其中该圆环包含：一内半径，其直接界定该圆形空腔；一外半径，其界定该环；一底表面，具有与该环之轴成实质垂直的多个部分；及一顶表面，具有与该环之轴成实质垂直且与该底表面成实质平行的多个部分，并且该顶表面相对于该底表面而配置，其中该顶表面包含：一面向晶圆表面(wafer facing surface)，其从该环的该内半径绕着该环而圆形地延伸至一第二半径，且垂直于该环之轴，其中该第二半径大于该环的该内半径并与其同中心，且该第二半径小于该外半径；及一突出物，其从该顶表面延伸围绕该环，并以一实质平行于该环之轴的方向突出，且邻接该第二半径。