| 发明名称 | 用于ALD/CVD含硅薄膜应用的有机硅烷前体 | ||
| 摘要 | 本发明公开了含Si薄膜形成前体、其合成方法及使用其以使用气相沉积法沉积含硅薄膜用于制造半导体、光伏装置、LCD-TFT、平板型装置、耐火材料或航空材料的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104080944A | 申请公布日期 | 2014.10.01 |
| 申请号 | CN201380007437.1 | 申请日期 | 2013.07.19 |
| 申请人 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 发明人 | C·迪萨拉;G·库肯拜泽尔;V·R·帕里姆 |
| 分类号 | C23C16/24(2006.01)I;C23C16/448(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 王丹丹;刘金辉 |
| 主权项 | 一种含Si薄膜形成前体，其具有下式：<img file="FDA0000546766930000011.GIF" wi="289" he="289" />其中R<sup>1</sup>和R<sup>2</sup>可各自独立地为H、C1‑C6烷基或C3‑C20芳基或杂环基且R<sup>3</sup>可为H、C1‑C6烷基、C3‑C20芳基或杂环基、氨基、烷氧基或卤素。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||