发明名称 |
低温多晶硅薄膜晶体管、其制备方法及阵列基板与显示装置 |
摘要 |
本发明公开了一种多晶硅薄膜及薄膜晶体管、其制备方法及阵列基板与显示装置,该低温多晶硅薄膜晶体管包括基板、在基板上形成的缓冲层,以及通过构图工艺在缓冲层上形成的有源层,此外,在所述的有源层上还形成有绝热保温层。本发明通过在在多晶硅薄膜结构中设计绝热保温层,该绝热保温层与缓冲层分别在有源层的上表面和下表面来抑制熔融硅中温度的扩散,起到双层保温的作用,从而明显延长多晶硅晶化的时间。同时,绝热保温层的图案设计可以使有源层在图案边缘部分先结晶形成多晶硅籽晶,引导熔融硅生长,有助于大尺寸晶粒的生长,有效的提高了TFT的迁移率。 |
申请公布号 |
CN104078621A |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
申请号 |
CN201410280920.3 |
申请日期 |
2014.06.20 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
发明人 |
白妮妮;张琨鹏;康峰;高鹏飞;韩帅;刘宇 |
分类号 |
H01L51/52(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L27/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/52(2006.01)I |
代理机构 |
北京路浩知识产权代理有限公司 11002 |
代理人 |
李迪 |
主权项 |
一种低温多晶硅薄膜晶体管,包括依次在基板上形成的缓冲层和有源层,其特征在于:还包括在所述的有源层上形成的绝热保温层。 |
地址 |
100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 |