一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法

摘要

本发明提供了一种无需对准纳米压印制备不异质结构的方法，步骤如下：（1）利用FIB制备不同深度结构的模板；（2）在衬底表面旋涂一层热塑性纳米压印胶，利用热塑性纳米压印技术将结构转移到胶层；（3）ICP刻蚀掉胶层的残余层，然后通过设置气体流量使胶层和衬底达到1：1的刻蚀；（4）二次旋涂热塑性纳米压印胶，并使其表面平整；（5）ICP刻蚀胶层至暴露出较高结构表面而其他位置仍被胶层保护；（6）设置气体流量使刻蚀衬底的速率远大于刻蚀胶层，以胶层作为掩模，将较高结构刻蚀至平面；（7）在表面沉积另外一种材料，并举离得到异质结构。本发明通过利用不同深度模板纳米压印的方法，避开了微加工中小尺度难以解决的对准问题。

主权项

一种无需对准纳米压印制备异质结构的方法，其特征在于：（1）利用聚焦离子束刻蚀制备具有不同深度结构的模板；（2）在硅片表面旋涂一层热塑性纳米压印胶，利用热塑性纳米压印技术将步骤（1）模板上的结构转移到胶层，脱去模板；（3）利用电感耦合等离子体刻蚀掉胶层的残余层，然后通过调整CHF₃、CF₄和O₂的流量比使胶层和硅片达到1：1的刻蚀速率，得到不同高度的硅结构，即为步骤（1）聚焦离子束制备的模板结构的反结构；（4） 在不同高度的硅结构上二次旋涂热塑性纳米压印胶，胶层厚度覆盖住硅结构，并采用无结构的的硅片作为模板进行热塑性纳米压印使胶层表面平整；（5）利用电感耦合等离子体刻蚀步骤（4）的胶层至暴露出较高硅结构的表面，而其他较低硅结构仍被胶层保护；（6）利用胶层与硅对气体的刻蚀比，使得刻蚀硅的速率远大于刻蚀胶层，利用胶层作为掩模，将较高硅结构刻蚀至硅平面；（7）在步骤（6）得到的结构表面沉积除硅以外的材料，并举离得到异质结构。