发明名称 半导体组件装置的热接触式反向电连接的方法
摘要 本发明提出了一种热接触式半导体组件装置(10/40),其藉由金属层(52)在力(53)的作用下使设置在半导体组件装置(10/40)的相对侧上的两个导热体(20,30)的至少其中之一(20/30)与半导体组件装置(10/40)的接触表面(12/46)接触,其中,金属层(52)在接合剂的凝固期间不熔化,以在其全部区域之上两个导热体(20,30)之间形成黏合键结。
申请公布号 CN102576975B 申请公布日期 2014.10.01
申请号 CN201080040173.6 申请日期 2010.09.08
申请人 詹诺普蒂克激光有限公司 发明人 马特思亚斯·萧罗德尔;多明尼·萧罗德尔;佩拉·赫灵格
分类号 H01S5/02(2006.01)I;H01S5/024(2006.01)I;H01S5/40(2006.01)I 主分类号 H01S5/02(2006.01)I
代理机构 北京华夏博通专利事务所(普通合伙) 11264 代理人 刘俊
主权项 一种用于生产半导体模块(80)的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:a)提供i)半导体组件装置(10/40),其中‑在第一侧上具有与至少一个第一电连接(16/41)连接的第一接触表面(11/45);以及‑在与所述第一侧相对的第二侧上具有与至少一个第二电连接(17/42)连接的第二接触表面(12/46),ii)第一导热体(20);iii)至少一个第二导热体(30);iv)第一金属层(51);v)至少一个第二金属层(52);以及vi)至少一个接合工具(55);b)将所述半导体组件装置(10/40)排列在所述第一导热体(20)与所述第二导热体(30)之间,以使所述第一导热体(20)的第一接触部分(25)与所述第一接触表面(11/45)相对,使所述第二导热体(30)的第二接触部分(35)与所述第二接触表面(12/46)相对,其中至少一部分的所述第一金属层(51)排列在所述第一接触部分(25)与所述第一接触表面(11/45)之间,而至少一部分的所述第二金属层(52)排列在所述第二接触部分(35)与所述第二接触表面(12/46)之间;c)产生至少一个力(53),藉由所述第一导热体(20)及所述第二导热体(30)的其中之一在所述第一导热体(20)及所述第二导热体(30)中另一个的方向中,将至少一组件有效地定位;以及d)藉由所述接合工具(55)的固化来产生所述第一导热体(20)及第二导热体(30)的材料锁定连接,其中,在步骤c)中,所述第二金属层(52)的温度不超过具有最低熔化温度的所述第二金属层(52)的金属材料的熔化温度,并且在步骤c)中,在所述材料锁定连接生成的同时产生至少一个力(53)。
地址 德国耶拿市