| 摘要 |
揭示三族氮化物矽上半导体积体电路结构和技术。在若干情况中,结构包含形成于成核层上之第一半导体层,第一半导体层包含三维GaN层及二维GaN层,三维GaN层系在成核层上且具有复数个三维半导体结构,二维GaN层系在三维GaN层上。结构亦可包含形成于第一半导体层上或在第一半导体层内之第二半导体层,其中第二半导体层包含AlGaN于二维GaN层上及GaN层于AlGaN层上。另一结构包含第一半导体层及第二半导体层,第一半导体层系形成于成核层上,第一半导体层包含二维GaN层于成核层上,第二半导体层系形成于第一半导体层上或在第一半导体层内,其中第二半导体层包含AlGaN于二维GaN层上及GaN层于AlGaN层上。 |
