贯通柱之形成方法及电子制品之制造方法

摘要

本发明系揭示一种贯通柱之形成方法。其中,系以包含下述步骤的方法,来形成贯通柱:从基板(1)表面,朝向该基板(1)内形成孔洞状之凹槽(3)的步骤;在该凹槽(3)内形成第1绝缘膜(4)的步骤;在形成有该第1绝缘膜(4)的凹槽(3)内,形成作为贯通柱之导电体膜(6V)的步骤;使与该基板(1)表面相对的该基板的背面退后,并从该基板(1)背面,使在内侧包覆该导电体膜(6V)的该第1绝缘膜(4)突出的步骤;在该基板(1)的背面上,及从该基板(1)背面突出的该第1绝缘膜(4)上,形成第2绝缘膜(9)的步骤;使该第2绝缘膜(9)、该第1绝缘膜(4)及该导电体膜(6V)后退,以使该导电体膜(6V)露出至外部的步骤。另外,第2绝缘膜(9)系以高分子膜所形成。