垂直双扩散场效电晶体及其制造方法

摘要

本发明提供了一种垂直双扩散场效电晶体及其制造方法,其方法过程中在掺杂体区形成之后再沉积多晶矽形成闸极,虽然增加了光刻次数,但两次光刻可以采用光刻板共用的方法来降低生产成本。在空乏型垂直双扩散场效电晶体的制造方法中,空乏管通道注入为非自对准注入,这样有效的保证了垂直双扩散场效电晶体的击穿电压不会下降,同时解决了漏电问题。