发明名称 |
NAND快闪记忆单元、操作方法与读取方法;NAND FLASH MEMORY UNIT, OPERATING METHOD AND READING METHOD |
摘要 |
一种NAND快闪记忆单元、操作方法与读取方法。此NAND快闪记忆单元包括多个闸极层、一通道层、一电荷捕捉层、一导体层与一第二介电层。这些闸极层中相邻的两个闸极层之间包括一第一介电层。通道层、电荷捕捉层、导体层与第二介电层会贯穿这些闸极层。电荷捕捉层是配置在通道层与闸极层之间,并且第二介电层是配置在导体层与通道层之间。藉此,抹除速度会被提升,电荷补捉层可以被修复,并且闸极层的控制能力会提升。 |
申请公布号 |
TW201438014 |
申请公布日期 |
2014.10.01 |
申请号 |
TW102110527 |
申请日期 |
2013.03.25 |
申请人 |
群联电子股份有限公司 |
发明人 |
林纬;许佑诚;郑国义 |
分类号 |
G11C16/14(2006.01);H01L21/8247(2006.01) |
主分类号 |
G11C16/14(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>詹铭文</name><name>叶璟宗</name> |
主权项 |
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地址 |
苗栗县竹南镇群义路1号 |