发明名称 NAND快闪记忆单元、操作方法与读取方法;NAND FLASH MEMORY UNIT, OPERATING METHOD AND READING METHOD
摘要 一种NAND快闪记忆单元、操作方法与读取方法。此NAND快闪记忆单元包括多个闸极层、一通道层、一电荷捕捉层、一导体层与一第二介电层。这些闸极层中相邻的两个闸极层之间包括一第一介电层。通道层、电荷捕捉层、导体层与第二介电层会贯穿这些闸极层。电荷捕捉层是配置在通道层与闸极层之间,并且第二介电层是配置在导体层与通道层之间。藉此,抹除速度会被提升,电荷补捉层可以被修复,并且闸极层的控制能力会提升。
申请公布号 TW201438014 申请公布日期 2014.10.01
申请号 TW102110527 申请日期 2013.03.25
申请人 群联电子股份有限公司 发明人 林纬;许佑诚;郑国义
分类号 G11C16/14(2006.01);H01L21/8247(2006.01) 主分类号 G11C16/14(2006.01)
代理机构 代理人 <name>詹铭文</name><name>叶璟宗</name>
主权项
地址 苗栗县竹南镇群义路1号