正型光阻材料及图案形成方法

摘要

本发明提供一种正型光阻材料、及图案形成方法，该正型光阻材料具有用于在高反射基板上形成图案之适度吸收，且曝光后之图案形状、密合性及于高低差基板之填埋特性良好，并具有进行离子布植时之离子布植耐性。;本发明之正型光阻材料，其特征为含有(A)成分及(B)成分作为基础树脂且更含有光酸产生剂；(A)成分系高分子化合物，其含有具将羧基之氢原子以具有环结构之酸不稳定基取代之结构之重复单元且重量平均分子量为1,000~500,000，(B)成分系经取代或非经取代之萤光素(fluorescein)之酚醛树脂。

主权项

一种正型光阻材料，其特征为包含成分(A)及成分(B)作为基础树脂，且更含有光酸产生剂；(A)高分子化合物，其含有具将羧基之氢原子以具有环结构之酸不稳定基取代之结构的重复单元，且重量平均分子量为1,000~500,000；以及(B)经取代或非经取代之萤光素之酚醛树脂，其系具有下列通式(2)表示之重复单元之重量平均分子量为400~20,000之树脂；(式中，R3、R4为氢原子、或酸不稳定基；R5、R6、R7为氢原子、三氟甲基、羟基、硝基、氰基、卤素原子、碳数1~10之直链状、分支状或环状之烷基、碳数2~10之烯基、及碳数6~10之芳基中之任一者，且该烷基、该烯基、该芳基也可具有羟基、烷氧基、醯氧基、醚基、及硫醚基中之任一者；R8为氢原子、碳数1~6之直链状、分支状或环状之烷基、碳数2~10之烯基、碳数4~10之杂芳基、及碳数6~10之芳基中之任一者，且该烷基、该烯基、该杂芳基、该芳基也可具有羟基、烷氧基、醚基、及硫醚基中之任一者；m、n、p、q、r为1或2)。