成膜装置及基板处理装置

摘要

本发明系关于一种成膜装置，其包含：回转台；从回转台周缘朝回转中心设置的第1反应气体供给部及第2反应气体供给部；以及设置于其间的第1分离气体供给部。其中系形成了具有第1高度并包含第1反应气体供给部的第1空间；具有第2高度并包含第2反应气体供给部的第2空间；及高度较第1和第2高度更低并包含第1分离气体供给部的第3空间。该回转台之回转中心下方系设置有用以回转驱动该回转台的马达。回转台之回转轴与马达之驱动轴系不会空转地相互结合。

主权项

一种成膜装置，其系于真空容器内依序地供给包含第1反应气体及第2反应气体之至少2种来源气体，且藉由实施依序供给至少2种该来源气体的供给循环以形成一薄膜，并具有：回转台，系可回转地设置于该真空容器内，并具备有用以载置基板之基板载置部；第1反应气体供给部及第2反应气体供给部，系各别由该回转台之周缘上相异位置处朝向回转中心设置以供给该第1反应气体及该第2反应气体；第1分离气体供给部，系由该第1反应气体供给部与该第2反应气体供给部之间的该回转台之周缘位置朝向回转中心设置以供给分离该第1反应气体与该第2反应气体的第1分离气体；第1下面区域，系包含有该第1反应气体供给部的该真空容器之顶板下方之面，并与该回转台相距第1高度；第1空间，系形成于该第1下面区域与该回转台之间；第2下面区域，系包含有该第2反应气体供给部的该顶板下方之面，并在远离该第1下面区域处与该回转台相距第2高度；第2空间，系形成于该第2下面区域与该回转台之间；第3下面区域，系包含有该第1分离气体供给部且沿着该回转台之回转方向而位于该第1分离气体供给部两侧的该顶板下方之面，并与该回转台相距较该第1高度及该第2高度为低之第3高度；狭窄的第3空间，系形成于该第3下面区域与该回转台之间，用以使该第1分离气体供给部所供给之该第1分离气体流向该第1空间及该第2空间，且具有该第3高度；中心部区域，系该顶板下方之面，并设置有将分离该第1反应气体与该第2反应气体的第2分离气体供给至该回转台之回转中心之该基板载置部一侧的第2分离气体供给部；排气口，系将喷出至该第3空间两侧之该第1分离气体及自该中心部区域喷出之该第2分离气体，连同该第1反应气体与该第2反应气体一起排出；以及马达，系设置于该回转台之回转轴下方，用以回转驱动该回转台，其中该回转台之回转轴与该马达之驱动轴系不会空转地相互结合。