| 摘要 |
La présente invention concerne un procédé de dissolution d'une couche de dioxyde de silicium (90) dans une structure (50), comprenant de sa face arrière (60) vers sa face avant (70) un substrat support, la couche de dioxyde de silicium (90) et une couche de semi-conducteur (100), le procédé de dissolution étant mis en œuvre dans un four dans lequel des structures (50) sont maintenues sur un support, le procédé de dissolution entraînant la diffusion d'atomes d'oxygène compris dans la couche de dioxyde de silicium (90) au travers de la couche de semi-conducteur (100) et générant des produits volatiles, le four comprennant des pièges (110) adaptés pour réagir avec les produits volatiles, de sorte à réduire le gradient de concentration des produits volatiles parallèle à la face avant (70) d'au moins une structure (50). |
