Gruppe III-N Nanodraht-Transistoren

摘要

Ein Gruppe III-N-Nanodraht ist auf einem Substrat angeordnet. Eine Längsrichtung des Nanodrahts ist in einer Kanalregion eines ersten Gruppe III-N-Materials definiert, eine Quellenregion ist elektrisch mit einem ersten Ende der Kanalregion gekoppelt, und eine Senkenregion ist elektrisch mit einem zweiten Ende der Kanalregion gekoppelt. Ein zweites Gruppe III-N-Material auf dem ersten Gruppe III-Material dient als ladungsinduzierende Schicht und/oder Barriereschicht auf Flächen des Nanodrahts. Ein Gate-Isolator und/oder Gate-Leiter sind koaxial komplett um den Nanodraht in der Kanalregion gewickelt. Senken- und Quellenkontakte können in ähnlicher Weise komplett um die Senken- und Quellenregionen gewickelt sein.