发明名称 HIGH SPEED SENSING FOR ADVANCED NANOMETER FLASH MEMORY DEVICE
摘要 Improved sensing circuits and improved bit line layouts for advanced nanometer flash memory devices are disclosed.
申请公布号 WO2014149166(A1) 申请公布日期 2014.09.25
申请号 WO2014US11554 申请日期 2014.01.14
申请人 SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC. 发明人 TRAN, HIEU, VAN;LY, ANH;VU, THUAN;NGUYEN, HUNG, QUOC;TIWARI, VIPIN
分类号 H01L27/115;G11C16/00 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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