GRABENELEKTRODENANORDNUNG

摘要

Ein Verfahren umfasst das Herstellen eines Grabens, der sich von einer ersten Oberfläche eines Halbleiterkörpers derart in den Halbleiterkörper erstreckt, der einen ersten Grabenabschnitt und wenigstens einen an den ersten Grabenabschnitt angrenzenden zweiten Grabenabschnitt aufweist, wobei der erste Grabenabschnitt weiter als der zweite Grabenabschnitt ist. Eine erste Elektrode wird in dem wenigstens zweiten Grabenabschnitt hergestellt und ist dielektrisch von Halbleitergebieten des Halbleiterkörpers durch eine erste Dielektrikumsschicht isoliert. Eine Zwischenelektrodendielektrikumsschicht wird in dem wenigstens einen zweiten Grabenabschnitt auf der ersten Elektrode hergestellt. Eine zweite Elektrode wird in dem wenigstens einen zweiten Grabenabschnitt auf der Zwischenelektrodendielektrikumsschicht und in dem ersten Grabenabschnitt derart hergestellt, dass die zweite Elektrode wenigstens in dem ersten Grabenabschnitt durch eine zweite Dielektrikumsschicht dielektrisch von dem Halbleiterkörper isoliert ist.