Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung von Materialparametern, insbesondere der Ladungsträgerlebensdauer eines Halbleitersubstrates durch Messung von Lumineszenzstrahlung

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung von Materialparametern, insbesondere der Ladungsträgerlebensdauer eines Halbleitersubstrates durch Messung von Lumineszenzstrahlung, folgende Verfahrensschritte umfassend: a. Anregen des Halbleitersubstrats zum Erzeugen von Lumineszenzstrahlung durch injizieren von Ladungsträgern in dem Halbleitersubstrat, wobei der zeitliche Verlauf der Anregungsintensität IA(t) periodisch moduliert ist; b. Zeitaufgelöstes Messen der Intensität der von einem Messbereich des Halbleitersubstrates ausgehenden Lumineszenzstrahlung, wobei zumindest der relative zeitliche Verlauf der LumineszenzstrahlungΦ(t) zumindest während einer Anregungsperiode gemessen wird; c. Bestimmen mindestens eines Materialparameters des Halbleitersubstrates abhängig von dem zeitlichen Verlauf der Anregungsintensität IA(t) und dem zeitlichen Verlauf der Intensität der LumineszenzstrahlungΦ(t); Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass in Verfahrensschritt A eine Strom-Spannungsquelle elektrisch leitend mit dem Halbleitersubstrat verbunden wird und mittels der Strom-Spannungsquelle das Anregen mittels Beaufschlagen des Halbleitersubstrates mit zeitlich modulierter elektrischer Spannung erfolgt.