发明名称 Verfahren zur Niedertemperatur Drucksinterverbindung zweier Verbindungspartner
摘要 Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einem ersten (10) und einem zweiten Verbindungspartner (50), die mittels einer Niedertemperatur-Drucksinterverbindung miteinander stoffschlüssig verbunden sind, wobei die Verbindungspartner (10, 50) jeweils eine mit dem jeweils anderen Verbindungspartner zu verbindenden Kontaktfläche (16, 56) aufweisen, wobei zwischen diesen Kontaktflächen (16, 56) eine Sintermetallschicht (34) angeordnet ist, mit aufeinander folgenden Schritte a) bis g), wobei die Schritte d) und f) entweder nacheinander oder alternativ ausgeführt werden: a) Bereitstellen eines ersten Verbindungspartners (10) mit einer ersten Kontaktfläche (16); b) Aufbringen einer Schicht aus einer Sinterpaste (30), bestehend aus Sintermetallpartikeln und einem Lösungsmittel, auf die erste Kontaktfläche (16); c) Temperaturbeaufschlagung (22) der Sinterpaste (30) und Austreiben des Lösungsmittels unter Bildung der Sinterschicht (32); d) Aufbringen einer Flüssigkeit (40) auf der Sinterschicht (32); e) Anordnen des zweiten Verbindungspartners (50) derart, dass dessen zweite Kontaktfläche (56) auf der Sinterschicht (32) zu liegen kommt; f) Fixierung der Verbindungspartner (10, 50) zueinander durch Anordnen eines Adhäsionsmittels (60, 62) im Randbereich der Sinterschicht (32) und des zweiten Verbindungspartners (50) mit Kontakt zum ersten Verbindungspartner (10) g) Ausbildung der stoffschlüssigen Niedertemperatur-Drucksinterverbindung zwischen den Verbindungspartnern (10, 50) durch weitere Beaufschlagung der Anordnung mit Temperatur und Druck, wobei die Sinterschicht (32) zur homogenen Sintermetallschicht (34) umgewandelt wird.
申请公布号 DE102010021764(B4) 申请公布日期 2014.09.25
申请号 DE20101021764 申请日期 2010.05.27
申请人 SEMIKRON ELEKTRONIK GMBH & CO. KG 发明人 FALTENBACHER, JOSEF;AUGUSTIN, KARLHEINZ;SAGEBAUM, ULRICH;GÖBL, CHRISTIAN;STOCKMEIER, THOMAS, DR.
分类号 H01L21/60;H01L21/58;H01L23/492 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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