一种通过硒元素掺杂提高铜镉锡硫薄膜晶粒尺寸的制备方法

摘要

本发明涉及一种通过硒元素掺杂改变铜镉锡硫(Cu₂CdSnS₄)薄膜晶粒尺寸的制备方法。其特征是采用铜镉锡硫单一靶材磁控溅射铜镉锡硫预制膜，对预制膜进行硒元素掺杂硫化热处理，得到晶粒尺寸较大的优质铜镉锡硫薄膜。最大晶粒尺寸可达到2mm。本方法工艺简单，成本低廉，操作方便，可重复性强，有助于铜镉锡硫吸收层的太阳电池的产业化发展。

主权项

一种通过硒元素掺杂提高铜镉锡硫薄膜晶粒尺寸的制备方法，其特征在于采用铜镉锡硫单一靶材进行磁控溅射，对溅射后的薄膜进行掺入硒元素的硫化热处理，将获得大晶粒尺寸的铜镉锡硫薄膜。