垂直型LED结构及其制作方法

摘要

本发明提出了一种垂直型LED结构及其制作方法，在使用激光剥离去除生长衬底后，不再整面去除未掺杂层，仅在未掺杂层上形成沟槽并暴露出N-GaN，接着在沟槽内的N-GaN上形成N型电极，从而借助未掺杂层的保护，避免激光光斑交界对N-GaN造成损伤，从而减少芯片的漏电，提高芯片的光电转换效率，增加发光亮度，并且将N型电极限制在沟槽内，能够增加电极的牢固性。

主权项

一种垂直型LED制作方法，包括步骤：提供生长衬底，在所述生长衬底上形成有外延层，所述外延层包括依次形成的未掺杂层、N‑GaN、量子阱和P‑GaN，所述未掺杂层形成于所述生长衬底上；在所述P‑GaN表面形成金属电极；在所述金属电极上形成键合衬底；采用激光剥离去除所述生长衬底，暴露出所述未掺杂层；刻蚀所述未掺杂层，形成沟槽，所述沟槽暴露出所述N‑GaN；在所述沟槽中形成N型电极，所述N型电极与所述N‑GaN相连。