| 发明名称 | 层叠型半导体元件的制造方法、层叠型半导体元件及其制造装置 | ||
| 摘要 | 提供层叠型半导体元件的制造方法、层叠型半导体元件及其制造装置。具备下述步骤：层叠膜形成步骤，其具有下述工序：氧化硅膜形成工序，使用三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、六甲基二硅氮烷和二乙基硅烷中的任一种在半导体基板上形成氧化硅膜；和氮化硅膜形成工序，在通过氧化硅膜形成工序形成的氧化硅膜上形成氮化硅膜，重复多次氧化硅膜形成工序和氮化硅膜形成工序，在半导体基板上形成交替配置多个氧化硅膜与多个氮化硅膜的层叠膜；氮化硅膜蚀刻步骤，将构成层叠膜的氮化硅膜进行蚀刻；降低碳浓度的步骤，将氮化硅膜蚀刻步骤中没有被蚀刻的氧化硅膜中的碳去除而降低碳浓度；以及电极形成步骤，在氮化硅膜蚀刻步骤中被蚀刻的区域形成电极。 | ||
| 申请公布号 | CN104064446A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201410109233.5 | 申请日期 | 2014.03.21 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 长谷部一秀;大部智行;黑川昌毅 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种层叠型半导体元件的制造方法，其具备下述步骤：层叠膜形成步骤，其具有下述工序：氧化硅膜形成工序，使用三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、六甲基二硅氮烷和二乙基硅烷中的任一种在半导体基板上形成氧化硅膜；和氮化硅膜形成工序，在通过所述氧化硅膜形成工序形成的所述氧化硅膜上形成氮化硅膜，重复多次所述氧化硅膜形成工序和所述氮化硅膜形成工序，在所述半导体基板上形成交替配置多个所述氧化硅膜与多个所述氮化硅膜的层叠膜；氮化硅膜蚀刻步骤，将构成所述层叠膜的所述氮化硅膜进行蚀刻；降低碳浓度的步骤，将所述氮化硅膜蚀刻步骤中没有被蚀刻的所述氧化硅膜中的碳去除而降低碳浓度；以及电极形成步骤，在所述氮化硅膜蚀刻步骤中被蚀刻的区域形成电极。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||