发明名称 高速宽范围低转高双端输出电平转换电路
摘要 本实用新型涉及一种高速宽范围低转高双端输出电平转换电路,它包括依次串接于高压电源VDDH与参考地GND之间的交叉耦合PMOS晶体管对、分压模块及差分输入NMOS晶体管对;第一输入端及第一输入端经过第一输入反相器后得到的第二输入端;接于第一差分输入NMOS晶体管漏极与低压电源VDDL之间的第一快速上拉PMOS晶体管及接于第二差分输入NMOS晶体管漏极与低压电源VDDL之间的第二快速上拉PMOS晶体管;接于高压电源VDDH与第一输出端及第二输出端之间的加速单元。本实用新型有效扩宽了常用低转高电平转换电路的电平转换范围,在避免强上拉与强下拉之间竞争的同时,加速了电平上拉的速度,提升了转换速度。
申请公布号 CN203851128U 申请公布日期 2014.09.24
申请号 CN201420240937.1 申请日期 2014.05.13
申请人 湖南进芯电子科技有限公司 发明人 黄嵩人;何龙;陈思园;陈迪平
分类号 H03K19/0185(2006.01)I 主分类号 H03K19/0185(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种高速宽范围低转高双端输出电平转换电路,具有第一输入端,第一输入反相器,第二输入端,差分输入NMOS晶体管对,交叉耦合PMOS晶体管对,第一输出端,第二输出端,其特征是,差分输入NMOS晶体管为CMOS工艺中核内使用最小尺寸低阈值管,交叉耦合PMOS晶体管为CMOS工艺中端口使用大尺寸高耐压管,交叉耦合PMOS晶体管对与差分输入NMOS晶体管对之间串接分压模块,第一差分输入NMOS晶体管漏极与低压电源VDDL之间接入第一快速上拉PMOS晶体管,第二差分输入NMOS晶体管漏极与低压电源VDDL之间接入第二快速上拉PMOS晶体管,高压电源VDDH与第一输出端及第二输出端之间接入加速单元。
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