薄膜电容和齐纳二极管的复合电子部件及其制造方法

摘要

复合电子部件(100)的特征在于：具备由Si基板(1)、薄膜电容(8)、Si基板(1)和半导体薄膜层(13)构成的齐纳二极管(14)，Si基板(1)的载流子浓度比半导体薄膜层(13)的载流子浓度小。

主权项

一种薄膜电容和齐纳二极管的复合电子部件，具备：Si基板，其具有n型导电性或p型导电性，由单晶体或多晶体构成；电极层，其形成在所述Si基板上，由贵金属电极材料或导电性氧化物材料构成；薄膜电容，其通过由钙钛矿型介电材料构成的电介体层叠而成；以及齐纳二极管，其形成在所述Si基板上的与形成所述薄膜电容的区域不同的区域，由具有与所述Si基板相反的导电性的半导体薄膜层构成，与所述Si基板形成p－n结，所述薄膜电容和齐纳二极管的复合电子部件的特征在于，所述Si基板的载流子浓度比所述半导体薄膜层的载流子浓度小。