发明名称 |
半导体器件的形成方法 |
摘要 |
一种半导体器件的形成方法,包括:在衬底中形成隔离结构;形成第一栅极和第二栅极;形成第一帽层;图形化第一帽层,形成位于第一栅极周围的第一侧墙;在第一侧墙两侧的半导体衬底中外延生长第一半导体材料,高于衬底表面,其中,第一帽层的材料保证在第一侧墙表面不会生长第一半导体材料,且图形化第一帽层时不会损伤隔离结构;接着,去除剩余的第一帽层;形成第二帽层;图形化第二帽层,在第二栅极周围形成第二侧墙;在第二侧墙两侧的半导体衬底中外延生长第二半导体材料,高于衬底表面,其中,第二帽层材料保证在第二侧墙表面不会生长第二半导体材料,且图形化第二帽层时不会损伤隔离结构;图形化剩余的第二帽层。最终形成的半导体器件性能好。 |
申请公布号 |
CN104064465A |
申请公布日期 |
2014.09.24 |
申请号 |
CN201310092800.6 |
申请日期 |
2013.03.21 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
傅丰华;俞少峰;谢欣云;卜伟海 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,在半导体衬底中形成隔离结构,所述隔离结构将半导体衬底隔开为第一有源区和第二有源区,所述第一有源区、第二有源区的类型相反;形成位于第一有源区的第一栅极和位于第二有源区的第二栅极;形成第一帽层,第一帽层覆盖所述半导体衬底、第一栅极和第二栅极;图形化第一帽层,形成位于第一栅极周围的第一侧墙;在所述第一侧墙两侧的半导体衬底中形成第一凹槽,在第一凹槽中外延生长第一半导体材料,所述第一半导体材料高于所述衬底表面,其中,第一帽层的材料保证在第一侧墙表面不会生长第一半导体材料,且图形化第一帽层时不会损伤隔离结构;在形成第一半导体材料后,去除剩余的第一帽层;去除剩余的第一帽层后,形成第二帽层,所述第二帽层覆盖隔离结构、第一有源区和第二有源区;图形化所述第二帽层,在第二栅极周围形成第二侧墙;在所述第二侧墙两侧的半导体衬底中形成第二凹槽,在第二凹槽中外延生长第二半导体材料,所述第二半导体材料高于所述衬底表面,其中,第二帽层的材料保证在第二侧墙表面不会生长第二半导体材料,且图形化第二帽层时不会损伤隔离结构;图形化剩余的第二帽层,在第一栅极周围形成第三侧墙。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |