发明名称 一种具有正磁各向异性温度系数的磁性薄膜的制备方法
摘要 本发明提供了一种具有正磁各向异性温度系数的磁性薄膜的制备方法。该方法选用具有各向异性热膨胀系数的衬底,首先沿热膨胀系数的绝对值较大的方向对该衬底施加一定的与热膨胀方向相反的应变,且所述的应变值大于当温度从室温下降到磁性薄膜最低工作温度时衬底所产生的应变值,在该应变保持条件下在衬底表面生长磁性薄膜,待磁性薄膜生长完毕后撤去该应变,即得到磁各向异性的磁性薄膜。随着温度的增加,该磁性薄膜材料的磁各向异性增加,即具有正磁各向异性温度系数,对于提高磁性薄膜器件的热稳定性具有重要的意义。
申请公布号 CN104064350A 申请公布日期 2014.09.24
申请号 CN201410301158.2 申请日期 2014.06.27
申请人 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 发明人 刘宜伟;李润伟;王保敏;詹清峰
分类号 H01F41/14(2006.01)I;H01F10/26(2006.01)I 主分类号 H01F41/14(2006.01)I
代理机构 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 代理人 单英
主权项 一种具有正磁各向异性温度系数的磁性薄膜的制备方法,所述的磁性薄膜是在衬底表面生长制得,其特征是:包括如下步骤:步骤(1):所述的衬底具有各向异性热膨胀系数,沿某一互相垂直的X方向与Y方向的热膨胀系数不同;在X方向与Y方向中,沿热膨胀系数的绝对值较大的方向对该衬底施加应变,具体如下:当衬底具有正的热膨胀系数时,沿着热膨胀系数较大的方向对衬底施加压应变,所述的压应变值大于参考应变值,所述的参考应变值的测试方法是:在所述的磁性薄膜的工作温度区间,选择最低的工作温度为测试温度,当温度从室温下降到该测试温度时,所述衬底发生热膨胀或热收缩所产生的应变值;当衬底具有负的热膨胀系数时,沿着热膨胀系数绝对值较大的方向对衬底施加张应变,所述的张应变值大于参考应变值,所述的参考应变值的测试方法是:在所述的磁性薄膜的工作温度区间,选择最低的工作温度为测试温度,当温度从室温下降到该测试温度时,所述衬底发生热膨胀或热收缩所产生的应变值;步骤(2):室温下,保持对衬底施加步骤(1)中所述的应变,在衬底表面生长所述的磁性薄膜;步骤(3):待所述的磁性薄膜生长完毕,撤去步骤(1)中所述的应变,即得到具有单轴磁各向异性的磁性薄膜。
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