硅基一维介电-表面等离子体耦合波导器件

摘要

本发明公开了一种硅基一维介电-表面等离子体耦合波导器件，所述器件具有一维纳米线结构，且所述器件至少包括两段纳米柱状材料，所述纳米柱状材料中至少具有一段硅材料与至少一段金属硅化物材料，且不同材料属性的纳米柱状材料交替连接。器件通过一维硅纳米波导中的光波导模式与一维金属硅化物波导中的表面等离子体模式耦合，形成一维耦合波导器件。该器件可通过改变一维金属硅化物波导的长/径比调节表面等离子共振模式的特征，从而提高硅光波导与表面等离子波导的耦合效率。该器件的制作可与大规模集成电路工艺兼容，且工作在红外通信波段，在硅基光-电及表面等离体集成领域具有优异的应用前景。

主权项

硅基一维介电‑表面等离子体耦合波导器件，其特征在于，所述器件具有一维纳米线结构，且所述器件至少包括两段纳米柱状材料，所述纳米柱状材料中至少具有一段硅材料与至少一段金属硅化物材料，且不同材料属性的纳米柱状材料交替连接。