TaN-Ag硬质薄膜及制备方法

摘要

本发明公开了一种TaN-Ag硬质薄膜及其制备方法，TaN-Ag硬质薄膜是以高纯Ta靶和Ag靶为靶材，采用多靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上得到的，薄膜分子式为TaN-Ag，厚度在1-3μm；沉积时，真空度优于3.0×10^-3Pa，以氩气起弧，氮气为反应气体，溅射气压0.3Pa、氩氮流量比10:(2-5)；Ta靶功率为150-250W，Ag靶功率为0-40W且大于0。所得硬质涂层综合具备了高硬度，良好的耐磨性等优良特点。

主权项

一种TaN‑Ag硬质薄膜，其特征在于是以高纯Ta靶和Ag靶为靶材，采用多靶共焦射频反应溅射法沉积在硬质合金或陶瓷基体上得到，薄膜分子式为TaN‑Ag，厚度在1‑3μm；Ag含量为0‑10at.％且大于0；在0‑0.86at.％范围内，薄膜的硬度随Ag含量的增加而升高，0.86at.％‑10at.％范围内，薄膜的硬度随Ag含量的增加而降低，当Ag含量高于0.86at.％时硬度最高为29GPa；平均摩擦系数随Ag含量的增加先保持稳定后减小；当Ag含量为6.4at.％时，平均摩擦系数达到最小值；当Ag含量为6.4at.％时的复合膜的平均摩擦系数随温度升高而降低，750℃时，摩擦系数最低为0.39。