| 发明名称 | 一种制造宽波段高吸收黑硅材料的方法 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种制造宽波段高吸收黑硅材料的方法，包括：获取P型重掺杂硅衬底；使用电感耦合等离子体-反应离子刻蚀法（ICP-RIE）对硅衬底进行刻蚀，在硅衬底表面上形成黑硅层；在黑硅层表面沉积钝化层。本发明的实施例的方法中，采用的是P型重掺杂硅衬底，并且选用ICP-RIE对硅表面进行刻蚀，由于ICP刻蚀选择比高，均匀性好，刻蚀的垂直度和光洁度较高，因此可以获得更好的截面形貌且污染较少。刻蚀之后获得的黑硅材料再通过原子层沉积(ALD)在黑硅层表面沉积一层Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>钝化层，可以降低反射，减少表面电荷复合率。 | ||
| 申请公布号 | CN104064627A | 申请公布日期 | 2014.09.24 |
| 申请号 | CN201410296521.6 | 申请日期 | 2014.06.27 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 李世彬;王健波;余宏萍;张鹏;吴志明 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人 | 谭新民 |
| 主权项 | 一种制造宽波段高吸收黑硅材料的方法，其特征在于，包括：获取P型重掺杂硅衬底；使用电感耦合等离子体‑反应离子刻蚀法对所述硅衬底进行刻蚀，在所述硅衬底表面上形成黑硅层；在所述黑硅层表面沉积钝化层。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||