半导体装置及其制造方法

摘要

提供半导体元件和基础材料或者半导体装置间的连接时、不会使粘着性恶化、薄型且可靠性高的半导体装置。其特征在于，包括以下步骤：在被加热的台上的基础材料或者下层的半导体元件（10）的预定位置依次粘着半导体元件（1SA）的小片接合步骤；通过接合线连接在上述半导体元件（10）的开口部形成的端子和在上述基础材料上形成的端子（13）的步骤；和，密封上述半导体元件（10）和接合线的步骤；其中，上述小片接合步骤是在上述基础材料或者下层的半导体元件（10）的预定位置使用半硬化粘着剂、半硬化膜或具有B阶段的液状粘着剂（12）粘着的步骤。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在形成有电路的晶片的第1面上涂布具有感光性的保护膜兼粘着剂层的步骤；使在涂布上述保护膜兼粘着剂层的步骤中涂布的挥发成分干燥的步骤；采用光刻法在电连接部和至少切割区域将上述保护膜兼粘着剂层开口的步骤；加热并硬化上述保护膜兼粘着剂层的步骤；沿着上述切割区域从第1面进行半切切割的步骤；将上述第1面粘着于保护带的步骤；超过从与上述第1面相对的第2面半切切割的深度地研削上述第2面、使上述晶片单片化、形成半导体元件的步骤；将被研削的上述第2面贴合于带、剥下在上述第1面上形成的上述保护带的步骤；在被加热的台上的基础材料或者下层的半导体元件的预定位置依次粘着上述半导体元件的小片接合步骤；通过接合线连接在上述半导体元件的开口部形成的端子和在上述基础材料上形成的端子的步骤；和密封上述半导体元件和接合线的步骤；其中，上述小片接合步骤是在上述基础材料或者下层的半导体元件的预定位置使用半硬化粘着剂、半硬化膜或具有B阶段的液状粘着剂粘着的步骤；上述保护膜兼粘着剂层，含有1%以上的光聚合作用引发剂，至少部分包括热硬化成分，硬化的状态下的260℃时储藏弹性率为2MPa以上，在温度85℃、相对湿度85%环境下放置24小时时的吸水率为0.8%以下；上述保护膜兼粘着剂层和上述半导体元件的260℃时小片剪切强度为0.6MPa以上；上述半导体元件，以使引线接合区域残留的方式错位地、以台阶状层叠3个以上，在使上述半导体元件反方向错位地层叠的层叠折返部中，包括在上述层叠折返部的上述半导体元件的第2面上涂布具有光硬化性的粘着剂层的步骤；引线接合时的上述保护膜兼粘着剂层的175℃时储藏弹性率为40MPa以上。